Ultra-high ON/OFF ratio and multi-storage on NiO resistive switching device

Abstract Inserting ultra-thin Ta films into a NiO resistive switching device enabled the achievement of an ultra-high ON/OFF ratio in the order of $ 10^{6} $ and a 4-order higher resistance than normal binary oxide resistive random access memory device. Observations confirmed that the interface play...
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Autor*in:

Ma, Guokun [verfasserIn]

Tang, Xiaoli [verfasserIn]

Zhang, Huaiwu [verfasserIn]

Zhong, Zhiyong [verfasserIn]

Li, Xia [verfasserIn]

Li, Jie [verfasserIn]

Su, Hua [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2016

Schlagwörter:

Resistive Switching

High Resistance State

Resistive Random Access Memory

Resistive Random Access Memory Device

Reset Voltage

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of materials science - Dordrecht [u.a.] : Springer Science + Business Media B.V, 1966, 52(2016), 1 vom: 01. Sept., Seite 238-246

Übergeordnetes Werk:

volume:52 ; year:2016 ; number:1 ; day:01 ; month:09 ; pages:238-246

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Volltext

DOI / URN:

10.1007/s10853-016-0326-5

Katalog-ID:

SPR013919008

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