Properties of pulse electrodeposited copper indium selenide films

Abstract Copper Indium Selenide films were deposited by the pulse plating technique at different bath temperatures in the range of 30–80 °C and at 50 % duty cycle (15 s ON and 15 s OFF). X-ray diffraction studies indicated the formation of single phase chalcopyrite copper indium selenide films. The...
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Gespeichert in:
Autor*in:

Shanmugavel, A. [verfasserIn]

Srinivasan, K. [verfasserIn]

Murali, K. R. [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2013

Schlagwörter:

Chalcopyrite

Duty Cycle

Pulse Electrodeposition

Pulse Plating

High Duty Cycle

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of materials science - Dordrecht [u.a.] : Springer Science + Business Media B.V, 1990, 24(2013), 7 vom: 07. Feb., Seite 2398-2403

Übergeordnetes Werk:

volume:24 ; year:2013 ; number:7 ; day:07 ; month:02 ; pages:2398-2403

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Volltext

DOI / URN:

10.1007/s10854-013-1108-3

Katalog-ID:

SPR013984160

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