Effect of bismuth dopant on the dielectric properties of modified $ As_{2} %$ Se_{3} $

Abstract A comparative analysis has been performed for the specific features of the dispersion of the components of the complex permittivity for pure and bismuth-doped thin films of amorphous arsenic triselenide. A correlation between the experimental data and theoretical calculations of similar cha...
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Gespeichert in:
Autor*in:

Castro, R. A. [verfasserIn]

Anisimova, N. I. [verfasserIn]

Bordovsky, V. A. [verfasserIn]

Grabko, G. I. [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2011

Schlagwörter:

Bismuth

Dielectric Loss

Dope Sample

Complex Permittivity

Dielectric Loss Tangent

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Physics of the solid state - College Park, Md. : Inst., 1997, 53(2011), 3 vom: März, Seite 458-461

Übergeordnetes Werk:

volume:53 ; year:2011 ; number:3 ; month:03 ; pages:458-461

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Volltext

DOI / URN:

10.1134/S1063783411030140

Katalog-ID:

SPR019654324

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