Preparation of $ TiO_{2} $/MCM-41 by plasma enhanced chemical vapor deposition method and its photocatalytic activity

Abstract Titanium dioxide is coated on the surface of MCM-41 wafer through the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method using titanium isopropoxide (TTIP) as a precursor. Annealing temperature is a key factor affecting crystal phase of titanium dioxide. It will transform an amorphous...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Wang, Shenghung [verfasserIn]

Wang, Kuohua

Jehng, Jihmirn

Liu, Lichen

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2011

Schlagwörter:

photocatalyst

titanium dioxide

MCM-41

plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Anmerkung:

© Higher Education Press and Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2011

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Frontiers of environmental science & engineering in China - Beijing : Higher Education Press, 2007, 6(2011), 3 vom: 02. Mai, Seite 304-312

Übergeordnetes Werk:

volume:6 ; year:2011 ; number:3 ; day:02 ; month:05 ; pages:304-312

Links:

Volltext

DOI / URN:

10.1007/s11783-010-0297-8

Katalog-ID:

SPR022393838

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