Inductorless CMOS Low Noise Amplifier for Multiband Application in 0.1–1.2 GHz

Abstract A 0.18 µm CMOS low noise amplifier (LNA) by utilizing noise-canceling technique was designed and implemented in this paper. Current-reuse and self-bias techniques were used in the first stage to achieve input matching and reduce power consumption. The core size of the proposed CMOS LNA circ...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Qin, Guoxuan [verfasserIn]

Jin, Mengmeng

Tu, Guoping

Yan, Yuexing

Yang, Laichun

Xu, Yanmeng

Ma, Jianguo

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2017

Schlagwörter:

CMOS

Low noise amplifier (LNA)

Multiband

Noise-canceling

Self-bias wide band

Anmerkung:

© Tianjin University and Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2017

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Transactions of Tianjin University - Tianjin : Univ., 1995, 23(2017), 2 vom: März, Seite 168-175

Übergeordnetes Werk:

volume:23 ; year:2017 ; number:2 ; month:03 ; pages:168-175

Links:

Volltext

DOI / URN:

10.1007/s12209-017-0040-7

Katalog-ID:

SPR025363018

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