Time structure of charge signals and noise studies of GaAs detectors irradiated by neutrons and protons

Summary Semiconductor detectors processed in Aachen using SI GaAs from different manufacturers have been irradiated with neutrons (peak energy ≈1 MeV) up to 4.0·$ 10^{14} $ n/$ cm^{2} $ and protons (energy 24 GeV) up to 8.2·$ 10^{13} $ p/$ cm^{2} $. All detectors work well after the exposure. The le...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Braunschweig, W. [verfasserIn]

Chu, Z. H.

Karpinski, W.

Kubicki, Th.

Lübelsmeyer, K.

Rente, C.

Syben, O.

Tenbusch, F.

Toporowsky, M.

Wittmer, B.

Xiao, W. J.

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

1996

Anmerkung:

© Società Italiana di Fisica 1996

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Il nuovo cimento - [S.l.] : Italian Physical Society, 1965, 109(1996), 9 vom: Sept., Seite 1289-1302

Übergeordnetes Werk:

volume:109 ; year:1996 ; number:9 ; month:09 ; pages:1289-1302

Links:

Volltext

DOI / URN:

10.1007/BF02773515

Katalog-ID:

SPR037430173

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