Temperature-Independent Performance of an 8-Layer λ ~1.3 μm InAs/GaAs Quantum-Dot Laser

Abstract We report high-performance broad-area eight-layer InAs/GaAs quantum-dot lasers (QDLs) emitting at 1.3 μm in the pulse and continuous-wave (CW) operations. Operational characteristics of the fabricated QDLs, including the emission wavelength, output power, threshold-current density, differen...
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Autor*in:

Gupta, Nitika [verfasserIn]

Yelashetty, Arvind [verfasserIn]

Sharma, Abhishek [verfasserIn]

Jain, Alok [verfasserIn]

Gopinathan, Unnikrishnan [verfasserIn]

Dhirhe, Devnath [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2020

Schlagwörter:

semiconductor laser

quantum-dot laser

characteristic temperature

differential quantumefficiency

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of Russian laser research - New York, NY [u.a.] : Consultants Bureau, 1980, 41(2020), 1 vom: Jan., Seite 86-93

Übergeordnetes Werk:

volume:41 ; year:2020 ; number:1 ; month:01 ; pages:86-93

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Volltext

DOI / URN:

10.1007/s10946-020-09851-3

Katalog-ID:

SPR03922614X

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