Grazing-Incidence X-Ray Diffraction Studies of the Relaxation Behavior in Galnas/GaAs Multilayers Grown on GaAs[001]

Abstract The depth profile of the defect structure in strained and partially relaxed $ Ga_{0.8} %$ In_{0.2} $As/GaAs[001] multilayers is investigated with the method of X-ray grazing-incidence diffraction. Both in-plane and out-of-plane parameters are obtained from the subsurface region between five...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Rose, Dirk [verfasserIn]

Pietsch, Ullrich [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

1995

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: MRS online proceedings library - Warrendale, Pa. : MRS, 1998, 379(1995), 1 vom: Dez., Seite 251-256

Übergeordnetes Werk:

volume:379 ; year:1995 ; number:1 ; month:12 ; pages:251-256

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Volltext

DOI / URN:

10.1557/PROC-379-251

Katalog-ID:

SPR041563662

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