Ultrasonic annealing of surface states in the heterojunction of a p-Si/n-CdS/n+-CdS injection photodiode

Abstract We have studied the effect of ultrasonic processing on the electrical and photoelectric properties of a p-Si/n-CdS/n+-CdS injection photodiode. The results demonstrate that ultrasonic processing of such photodiodes reduces the density of surface states at the interface of their heterojuncti...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Mirsagatov, Sh. A. [verfasserIn]

Sapaev, I. B. [verfasserIn]

Nazarov, Zh. T. [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2014

Schlagwörter:

Reverse Bias

Ultrasonic Processing

Reverse Bias Voltage

Integrate Sensitivity

White Light Intensity

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Inorganic materials - Dordrecht [u.a.] : Springer Science + Business Media B.V, 1996, 51(2014), 1 vom: 17. Dez., Seite 1-4

Übergeordnetes Werk:

volume:51 ; year:2014 ; number:1 ; day:17 ; month:12 ; pages:1-4

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Volltext

DOI / URN:

10.1134/S0020168515010148

Katalog-ID:

SPR013219510

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